移相掩模技术  

Phase-Shifting Mask Technology

作　　者：钱小工 韩安云 

出　　处：《半导体情报》1992年第3期44-45,F003,共3页Semiconductor Information

摘　　要：1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有180°的相位差而产生的相消干涉作用,使窗孔之间的光强减小,从而增大了投影图象的反差,提高了分辨能力。从1982年到1988年,移相掩模技术一直没有受到足够的重视。

关 键 词：移相 掩模 移相掩模技术 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]