移相掩模技术

作品数：9被引量：6H指数：2
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采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅
《微纳电子技术》2010年第6期372-375,共4页杨中月 付兴昌 宋洁晶 孙希国 
介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介...
关键词：深紫外光刻 负性化学放大胶 “T”型栅 移相掩模技术 分辨率增强技术 砷化镓PHEMT 
100nm分辨率的移相掩模技术被引量：4
《微细加工技术》2003年第4期27-32,共6页陆晶 陈宝钦 刘明 王云翔 龙世兵 李泠 
国家自然基金资助项目(60376020)
介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。
关键词：分辨率 移相掩模 二元掩模 光刻 交替式 衰减式 
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
《微纳电子技术》2002年第5期37-40,共4页韩安云 王育中 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词：光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL 
制版、光刻、腐蚀与掩模工艺
《电子科技文摘》2000年第4期38-38,共1页
0005792改进定标曝光场的对准精度[刊,译]//电子工业专用设备.—1999,(4).—51～56(A)00057930.30μmi 线光刻的精确套准控制[刊.译]//电子工业专用设备.—1999,(4),—42～46(A)
关键词：专用设备 电子工业 光学光刻技术 对准精度 腐蚀 移相掩模技术 制版 工艺 定标 极紫外光刻技术 
提高分辨率增大焦深的光学光刻新技术
《电子工业专用设备》1995年第1期24-29,共6页刘文辉 
提高分辨率，增大焦深，是限制光学光刻发展的主要因素。本文通过对光学光刻现状及潜能的分析，说明光学光刻可实现亚半微米ＩＣ的工业化生产。进而阐述了既可改善焦深又能提高分辨率的光学光刻新技术。
关键词：光学光刻 分辨率 焦深 移相掩模技术 
移相掩模技术及其发展前景被引量：1
《电子工业专用设备》1992年第4期30-39,共10页刘恩荣 
移相掩模技术的出现和在高密度微电子器件研制中的成功应用,是近几年来光学微细加工技术发展的最主要成果。本文在具体介绍移相掩模基本原理、结构工艺改进以及最新应用成果的基础上,展望了光学微细加工技术的发展前景。并指出,在大力...
关键词：光学微细加工 移相掩模 掩模 发展 
移相掩模技术被引量：1
《固体电子学研究与进展》1992年第3期275-280,共6页孙再吉 
对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2～0.3μm LSI的设计。
关键词：移相掩模技术 集成电路 分辨率 
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
《半导体情报》1992年第5期26-30,共5页Hideyuki Jinbo 江泽流 
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器...
关键词：移相器 移相掩模技术 光刻 
移相掩模技术
《半导体情报》1992年第3期44-45,F003,共3页钱小工 韩安云 
1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有18...
关键词：移相 掩模 移相掩模技术 
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