提高分辨率增大焦深的光学光刻新技术  

作　　者：刘文辉[1] 

机构地区：[1]电子工业部第四十五研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1995年第1期24-29,共6页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：提高分辨率，增大焦深，是限制光学光刻发展的主要因素。本文通过对光学光刻现状及潜能的分析，说明光学光刻可实现亚半微米ＩＣ的工业化生产。进而阐述了既可改善焦深又能提高分辨率的光学光刻新技术。

关 键 词：光学光刻 分辨率 焦深 移相掩模技术 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]