100nm分辨率的移相掩模技术  

Phase-shifting Mask of 100 nm Resolution

作　　者：陆晶[1] 陈宝钦[1] 刘明[1] 王云翔[1] 龙世兵[1] 李泠[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029

出　　处：《微细加工技术》2003年第4期27-32,共6页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然基金资助项目(60376020)

摘　　要：介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。The principle of PSM,the comparison of main PSM techniques and their features and application limits are described.The problems in the application of different PSM for the resolution of 100 nm and their solutions are reviewed.

关 键 词：分辨率 移相掩模 二元掩模 光刻 交替式 衰减式 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]