硅双极晶体管直流特性低温效应的研究  

Low Temperature DC Characteristics of Silicon Bipolar Transistors

作　　者：郑茳[1] 王曙[1] 王燕 吴金 魏同立 童勤义 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210018

出　　处：《固体电子学研究与进展》1992年第2期173-179,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。In this paper, the low temperature DL, charactenstics of the silicon bipolar. transistors are studied both theoretically and experimentally. The temperature models of current gain of the silicon bipolar transistors with vari-ous emitter depthes and current levels are presented, and the temperature dependent base widening effect is discussed.

关 键 词：低温 硅双极晶体管 直流特性 

分 类 号：TN325.2[电子电信—物理电子学]