磁场直拉硅单晶生长  

作　　者：徐岳生[1] 刘彩池[1] 王海云[1] 张维连[1] 杨庆新[1] 李养贤[1] 任丙彦[1] 刘福贵[1] 

机构地区：[1]河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津300130

出　　处：《中国科学（E辑）》2004年第5期481-492,共12页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59972007);国家科技部攀登计划(批准号:504[2000]);河北省自然科学基金(批准号:599033)资助项目

摘　　要：研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流;硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善;控制Marangoni对流,可灵活控制硅单晶中的氧浓度.把磁场拉晶同硅单晶的等效微重力生长联系起来,推导出了引入磁感应强度和对应等效微重力等级的关系式g=v0/veff·g0,并针对坩埚的两种特征尺寸,进行了直拉硅单晶等效微重力等级的计算.

关 键 词：磁场 等效微重力 扩散控制 Marangoni对流 单晶生长 直拉硅 

分 类 号：O782[理学—晶体学]