Mn掺杂ZnO薄膜的Raman散射特性  

Raman Properties of Mn-Doped ZnO Thin Films

作　　者：李彤[1] 介琼[1] 张宇[1] 王雅欣[1] 倪晓昌[1] 赵新为[2] 

机构地区：[1]天津职业技术师范大学电子工程学院,天津 [2]东京理科大学物理系,东京日本

出　　处：《凝聚态物理学进展》2013年第1期21-25,共5页Advances in Condensed Matter Physics

基　　金：天津市教委项目(20120710);天津市教委项目(20110711)。

摘　　要：利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱和X射线衍射谱分析了不同Ar流量条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示,未掺杂的ZnO薄膜呈现出显著的(002)定向生长特征,出现在437 cm?1的Raman散射峰进一步证实了这一点。将Mn掺杂进入ZnO薄膜后,在522 cm?1位置上显现出很强的Raman散射峰,这可能是与Mn掺杂后的晶格缺陷有关。随着Ar流量的增大,522 cm?1和A1(LO)模Raman散射峰均出现的红移趋势,可能是ZnO薄膜在引入Mn时导致的更多晶格缺陷所致。

关 键 词：ZNO MN 拉曼 稀磁半导体 

分 类 号：O48[理学—固体物理]