国家自然科学基金(10904124)

作品数：4被引量：5H指数：2
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Si_(83)Ge_(17)/Si压应变衬底上HfAlO_x栅介质薄膜微结构、界面反应和介电性能研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第12期1338-1345,共8页张守英 周广东 刘志江 邱晓燕 
国家自然科学基金(批准号:10904124;11274257);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:XDJK2011C038)资助项目
本文研究了射频磁控溅射沉积在p-Si83Ge17/Si(100)压应变衬底上HfAlOx栅介质薄膜的微结构及其界面反应,表征了其各项电学性能,并与相同制备条件下沉积在p-Si(100)衬底上薄膜的电学性能进行了对比研究.高分辨透射电子显微镜观测与X射线...
关键词：HfAlOx薄膜 Si83Ge17 Si压应变衬底 界面反应 介电性能 
不同气氛沉积和后退火处理的HfO_(x<2)薄膜的弱铁磁性
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第9期926-933,共8页周广东 陈显峰 涂雅婷 张守英 刘志江 李建 陈鹏 邱晓燕 
国家自然科学基金(批准号:10904124;11074205);中央高校基本科研业务费专项基金(编号:XDJK2011C038)资助项目
无磁性掺杂HfO2薄膜的室温弱铁磁性是2004年发现的一种不能用传统固体铁磁理论释的奇特磁现.本文用射频磁控溅射方法在不同气中制备和后退火HfOx薄膜样品,对比研究气对其室温弱铁磁性的影响.物析表明,室温沉积在蓝石衬底上的HfOx薄膜为...
关键词：HfOx薄膜 室温弱铁磁性 射频磁控溅射 
Si_(83)Ge_(17)/Si压应变衬底上HfO_2栅介质薄膜的电学性能被引量：2
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第4期377-384,共8页涂雅婷 周广东 张守英 李建 邱晓燕 
国家自然科学基金(批准号:10904124;11074205);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:XDJK2011C038)资助项目
本文用射频磁控溅射方法在p-Si83Ge17/Si压应变衬底上沉积制备HfO2栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积在无应变p-Si衬底上HfO2薄膜的电学性能进行对比研究.物性测试分析结果表明,沉积HfO2薄膜为单斜相(m-HfO2...
关键词：HFO2薄膜 Si83Ge17/Si压应变衬底 电学性能 射频磁控溅射 
不同氛围溅射HfO_2栅介质薄膜的电学性能和界面微结构被引量：3
《中国科学：物理学、力学、天文学》2011年第3期243-248,共6页陈显峰 涂雅婷 周广东 邱晓燕 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10904124和10974158)
本文研究了不同沉积氛围(纯Ar,Ar+O2和Ar+N2)中射频磁控溅射制备HfO2薄膜的介电性能和界面微结构.实验结果表明在纯Ar氛围室温制备的HfO2薄膜具有较好的电学性能(有效介电常数ε-r～17.7;平带电压～0.36 V;1 V栅电压下的漏电流密度～4.1...
关键词：HFO2薄膜 介电性能 界面微结构 射频磁控溅射 
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