云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60276042)

国家自然科学基金(60276042): 作品数：18被引量：18H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：陈军宁柯导明代月花孙家讹孟坚更多>>; 相关机构：安徽大学东南大学合肥工业大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《安徽大学学报（自然科学版）》《微电子学》《电子科技大学学报》更多>>; 相关主题：量子效应解析模型高温MOSFET栅电容更多>>; 相关领域：电子电信机械工程理学自然科学总论更多>>

检索结果分析

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

Modeling of Gate Capacitance for Deep Sub-micron MOSFETs: 《Chinese Journal of Electronics》2007年第3期435-438,共4页DAI Yuehua CHEN Junning KE Daoming ZHU Dezhi XU Chao; This work is supported by the National Natural Science Foundation of China （No.60276042）.; With the scaling of MOSFET dimensions, the gate oxides become thinner. Due to the Quantum mechanical effects （QME＇s）, the carrier distributions in the silicon substrate and polysilicon electrodes play more importan...; 关键词：Quantum mechanical effects Gate capacitance Inversion layer Polysilicon gate