国家教育部博士点基金(200807011012)

作品数：2被引量：3H指数：1
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晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究被引量：1
《物理学报》2011年第11期597-602,共6页王平亚 张金风 薛军帅 周勇波 张进成 郝跃 
国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);高等学校博士学科点新教师基金项目(批准号:200807011012)资助的课题~~
文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射...
关键词：InAlN/GaN 二维电子气 迁移率 
高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究被引量：2
《物理学报》2011年第11期603-608,共6页张金风 王平亚 薛军帅 周勇波 张进成 郝跃 
国家重大科学研究计划(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191)、国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);高等学校博士学科点新教师基金项目(批准号:200807011012)资助的课题~~
文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,...
关键词：InAlN/GaN 脉冲金属有机物化学气相淀积 二维电子气 迁移率 
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