云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(1012552210475102)

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Chemical Bond Formation in C-implanted SiO_2 Films Induced by High-energy Pb-ion Irradiation: 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版》2004年第1期67-67,共1页A. Benyagoub M. Toulemonde F. Levesque; Supported by National Natural Science Foundation of China (1012552210475102).; SiO2 films were firstly implanted at room temperature (RT) with 120 keV C-ions and then irradiated at RT with 950 MeV Pb ions. The C-ion implantation was performed at the 200 kV heavy ion implanter (IMP, Lanzhou) and ...; 关键词：离子辐照铅离子化学键二氧化硅膜诱导高能 SIO2薄膜离子植入

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