云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2011AA120101)

国家重点基础研究发展计划(2011AA120101): 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关期刊：《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：LIKELYINGAAS/INPBIAGATEDPHOTODIODE更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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Bias-dependent timing jitter of 1-GHz sinusoidally gated InGaAs/InP avalanche photodiode: 《Chinese Physics B》2016年第11期662-667,共6页朱阁郑福王超孙志斌翟光杰赵清; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11275024,61274024,and 61474123);the Youth Innovation Promotion Association,China(Grant No.2013105);the Ministry of Science and Technology of China(Grant Nos.2013YQ030595-3 and 2011AA120101); We characterized the dependence of the timing jitter of an InGaAs/InP single-photon avalanche diode on the excess bias voltage（V（ex）） when operated in 1-GHz sinusoidally gated mode.The single-photon avalanche diod...; 关键词：jitter gated timing photodiode operated quickly likely gating photon cooled

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