中央高校基本科研业务费专项资金(JUDCF13032)

作品数:1被引量:1H指数:1
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LDMOS器件软失效分析及优化设计被引量:1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期580-584,共5页黄龙 梁海莲 毕秀文 顾晓峰 曹华锋 董树荣 
国家自然科学基金资助项目(61171038,61150110485);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B,JUDCF13032);江苏省科技厅产学研联合创新资金前瞻性联合研究项目(BY2013015-19);江苏省普通高校研究生创新计划(CXLX13-747,KYLX-1119)
横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺...
关键词:横向扩散金属氧化物半导体 静电放电 软失效 体穿通 传输线脉冲测试 
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