国防科技技术预先研究基金(99J148BQ0108)

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小面积低功耗掩膜ROMASIC设计
《电子学报》2002年第6期934-936,共3页崔嵬 韩月秋 陈禾 李昀 
国防科技预研基金 (No .99J.1 .4.8.BQ0 1 0 8)
本文介绍了一种利用 0 6 μm单硅双铝双阱CMOS工艺实现的 4Kbit掩膜ROM专用集成电路设计 (A SIC) .ROM单元应用串行结构 ,整个芯片的面积为 0 0 82mm2 .在 5伏电源下 ,功率延迟积为 0 0 36PJ/bit,最大工作电流为 1 2mA ,最大静态漏...
关键词:掩膜ROM ASIC设计 CMOS工艺 只读存贮器 ROM 低功耗 译码器 灵敏放大器 
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