国家重点基础研究发展计划(001CB610601)

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磁存储器驱动电路界面平坦化研究
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期358-360,共3页杜寰 赵玉印 韩郑生 夏洋 张志纯 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:001CB610601)
利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十...
关键词：磁存储器 平坦化 表面粗糙度 均方根值 
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