国家自然科学基金(10735070)

作品数：3被引量：0H指数：0
导出分析报告
相关作者：刘汉平杜纪富王雪林张瑞锋刘祥志更多>>
相关机构：德州学院湖北科技学院四川大学山东大学更多>>
相关期刊：《Chinese Physics B》《核技术》《光子学报》更多>>
相关主题：INVESTIGATIONSILICON高能复折射率离子注入更多>>
相关领域：核科学技术理学电子电信机械工程更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高能氧离子注入LN晶体光波导的色心形成
《核技术》2012年第5期352-356,共5页杜纪富 黄宁康 
国家自然科学基金重点项目(10735070)资助
采用高能氧离子注入同成分铌酸锂(LN)晶体中制备离子注入光波导,对制备的光波导进行(200°C–500°C)不同温度的退火处理。采用常规光谱法对退火后的光波导进行光吸收谱研究。研究发现,氧离子注入后会使LN晶体中的锂离子发生缺失,进一...
关键词：离子注入 光波导 色心 
Investigation of the lateral spread of erbium ions implanted in silicon crystal
《Chinese Physics B》2010年第11期336-339,共4页秦希峰 陈明 王雪林 梁毅 张少梅 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 10975094 and 10735070);the National Basic Research Program of China (Grant No. 2010CB832906);Program for New Century Excellent Talents in University,Ministry of Education of China (Grant No. NCET-07-0516);the Foundation for the Author of National Excellent Doctoral Dissertation of China (Grant No. 10422-2007B1)
The erbium ions at energy of 400 keV and dose of 5× 10^15 ions/cm^2 were implanted into silicon single crystals at room temperature at the angles of 0°,45° and 60°. The lateral spread of 400 keV erbium ions implan...
关键词：erbium ion implantation SILICON Rutherford backscattering technique lateral spread 
水平极化光在单轴吸收晶体中的传播
《光子学报》2009年第4期956-961,共6页刘汉平 卢霏 王雪林 张瑞锋 刘祥志 
国家自然科学基金(10735070)资助
根据光在各向同性吸收介质中传播的分析方法,引入了波法线矢量传播常量,讨论了水平极化光在单轴吸收晶体中的传播规律,得到了波法线折射率、光线折射率、吸收系数等描述吸收晶体性质和光传播性质的物理量的表达式,推导出透明晶体的相应...
关键词：水平极化光 吸收晶体 矢量传播常量 复折射率 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部