国家电子信息产业发展基金(2004125)

作品数:1被引量:1H指数:1
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硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量:1
《物理学报》2008年第12期7860-7864,共5页熊传兵 江风益 王立 方文卿 莫春兰 
国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA311010;2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:2004125;2004479)资助的课题~~
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧...
关键词:InGaAlN 发光二极管 垂直结构 电致发光 
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