西北工业大学研究生创业种子基金(Z2012188)

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电离总剂量辐射加固SRAM设计
《微电子学》2013年第1期76-80,共5页魏晓敏 高德远 魏廷存 陈楠 
国家重大科学仪器专项(2011YQ);西北工业大学研究生创业种子基金资助项目(Z2012188)
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加...
关键词：静态随机存取存储器 辐射加固 电离总剂量辐射 
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