国家科技重大专项(2009ZX02035)

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场效应晶体管中接触孔应力技术的研究
《微电子学》2015年第2期267-270,共4页赵利川 闫江 
国家02重大专项资助项目(2009ZX02035)
随着集成电路集成度的不断提高以及场效应晶体管尺寸的微缩,沟道载流子迁移率退化越来越严重,通过沟道应力技术提升载流子迁移率从而提高性能的技术被广泛应用。介绍了接触孔应力对沟道的影响,分析了接触孔与沟道间距离及源漏区外延厚...
关键词：迁移率 沟道应力 接触孔应力 侧墙 
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