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作品数：1被引量：1H指数：1
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超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长被引量：1
《电力电子技术》2017年第8期30-33,共4页孙国胜 张新和 韩景瑞 刘丹 
国家重点研发计划(2016YFB0400402;2016YFB-0400901)~~
介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用Candela CS920...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 碳化硅 化学气相沉积 
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