METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

作品数：60被引量：53H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：杨霏陶永洪汪玲刘奥陈弘达更多>>
相关机构：国网智能电网研究院南京电子器件研究所中国科学院全球能源互联网研究院更多>>
相关期刊：《Journal of Rare Earths》《系统仿真技术》《Chinese Physics B》《Chinese Physics Letters》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家电网公司科技项目中国博士后科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Electronics（China）x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Si/SiGe PMOSFET USING P^+ IMPLANTATION TECHNOLOGY
《Journal of Electronics(China)》2007年第1期100-103,共4页Tan Jing Li Jingchun Xu Wanjing Zhang Jing Tan Kaizhou YangMohua 
Supported by the Funds of National Key Laboratory of Analog IC (2000JS09.3.1.DZ02).
Si/SiGe P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (PMOSFET) using P+ (phosphor ion) implantation technology is successfully fabricated. P+ implantation into SiGe virtual substrate induces a narrow de...
关键词：SiGe P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor （PMOSFET） P^＋implantation relaxation 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部