METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

作品数：60被引量：53H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
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相关机构：国网智能电网研究院南京电子器件研究所中国科学院全球能源互联网研究院更多>>
相关期刊：《Journal of Rare Earths》《系统仿真技术》《Chinese Physics B》《Chinese Physics Letters》更多>>
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Enhanced quality of Al_(2)O_(3)/SiC gate stack via microwave plasma annealing
《Rare Metals》2024年第10期5362-5371,共10页Nan-Nan You Xin-Yu Liu Qian Zhang Zhen Wang Jia-Yi Wang Yang Xu Xiu-Yan Li Yu-Zheng Guo Sheng-Kai Wang 
financially supported by Beijing Municipal Natural Science Foundation(No.4234091);the National Natural Science Foundation of China(Nos.62304245,61974159,62174176,62174122 and U2241244);the Scientific Instrument Developing Project of the Chinese Academy of Sciences(No.YJKYYQ20200039);the Out-standing Member Project of the Youth Innovation Promotion Association of CAS(No.Y2021046)。
The high-quality gate dielectric on silicon carbide(SiC)surface is critical to fabricate high-performance SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs).This research employs microwave plasma annealin...
关键词：Silicon carbide Al_(2)O_(3) METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR Microwave plasma annealing Defect repairs X-ray photoelectron spectroscopy 
Improving interfacial and electrical properties of HfO_(2)/SiO_(2)/p-Si stacks with N_(2)-plasma-treated SiO_(2) interfacial layer被引量：1
《Rare Metals》2023年第6期2081-2086,共6页Xiao-Qiang Chen Yu-Hua Xiong Jun Du Feng Wei Hong-Bin Zhao Qing-Zhu Zhang Wen-Qiang Zhang Xiao-Ping Liang 
financially supported by the National Science and Technology Major Project of China (No. 2013ZX02303-001-002)。
The effect of N_(2)-plasma-treated SiO_(2) interfacial layer on the interfacial and electrical characteristics of HfO_(2)/SiO_(2)/p-Si stacks grown by atomic layer deposition(ALD) was investigated.The microstructure a...
关键词：METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR High-k Atomic layer deposited N_(2)-plasma treatment Interfacial characteristic Reliability 
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