METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR

作品数：60被引量：53H指数：3
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SiC Double Trench MOSFET with Split Gate and Integrated Schottky Barrier Diode for Ultra-low Power Loss and Improved Short-Circuit Capability
《Chinese Journal of Electronics》2024年第5期1127-1136,共10页Jinping ZHANG Qinglin WU Zixun CHEN Hua ZOU Bo ZHANG 
supported by the China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2020M682607).
A silicon carbide(SiC)double trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor(DTMOS)with split gate(SG)and integrated Schottky barrier diode(SBD)is proposed for the first time.The proposed device features two ...
关键词：Silicon carbide Metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) Specific on resistance Reverse transfer capacitance High frequency figure of merit Forward conduction voltage drop Turn-on loss Turn-off loss Saturated drain current Short-circuit withstand time 
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