NON-POLAR

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Morphological and Microstructural Evolution and Related Impurity Incorporation in Non-Polar a-Plane GaN Grown on r-Sapphire Substrates
《Chinese Physics Letters》2015年第9期154-157,共4页蒋仁渊 许晟瑞 张进成 姜腾 江海清 王之哲 樊永祥 郝跃 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 61204006;the Fundamental Research Funds for the Central Universities under Grant No K50511250002
Effects of the growth temperature on morphological and microstructural evolution of a-plane GaN films grown on r-plane sapphires by metal organic chemical vapor deposition are investigated by atomic force microscopy a...
关键词:GAN Morphological and Microstructural Evolution and Related Impurity Incorporation in Non-Polar a-Plane GaN Grown on r-Sapphire Substrates 
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