NANOGAP

作品数：15被引量：18H指数：3
导出分析报告
相关领域：一般工业技术理学更多>>
相关作者：李丽美陈鑫杨蓉张广宇田中群更多>>
相关机构：中国科学院大学中国科学院中国科学技术大学厦门大学更多>>
相关期刊：《Chinese Journal of Chemical Physics》《Science China(Technological Sciences)》《mLife》《Nano Materials Science》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap被引量：1
《Journal of Semiconductors》2009年第9期142-145,共4页李艳 王晓峰 张加勇 王晓东 樊中朝 杨富华 
Project supported by the National High-Tech Research and Development Program of China (No.2008AA031402)
A lithography-independent and wafer scale method to fabricate a metal nanogap structure is demonstrated. Polysilicon was first dry etched using photoresist （PR） as the etch mask patterned by photolithography. Then, ...
关键词：lithography-independent NANOGAP conformal deposition anisotropic etching 
Fabrication of Sub-20nm Metal Nanogaps from Nanoconnections by the Extended Proximity Effect
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1666-1669,共4页孙艳 陈鑫 戴宁 
the National Natural Science Foundation of China(No.20704042);the Shanghai Pujiang Talent Plan(No.07PJ14095);the CAS Knowledge Innovation Program;the Committee of Science and Technology of Shanghai(Nos.06XD14020,07JC14058,0752nm016)~~
We describe the fabrication of metal nanogaps of sub-20nm in feature size using the proximity effect in electron beam lithography （EBL）. The proximity effect is extended to develop a flexible and practical method fo...
关键词：metal nanogap nanofabrication proximity effect electron beam lithography 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部