PMOSFET

作品数：101被引量：107H指数：4
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Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer
《Chinese Physics Letters》2013年第11期195-198,共4页SU Shao-Jian HAN Gen-Quan ZHANG Dong-Liang ZHANG Guang-Ze XUE Chun-Lai WANG Qi-Ming CHENG Bu-Wen 
Supported by the National Basic Research Program of China under Grant Nos 2013CB632103 and 2011CBA00608;the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61036003,61177038 and 61176013;the Science Research Foundation of Huaqiao University under Grant 12BS221.
Germanium-tin(Ge_(1-x)Sn_(x))p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors(pMOSFETs)were fabricated using a strained Ge_(0.985)Sn_(0.015) thin film that was epitaxially grown on a silicon-on-insulator subs...
关键词：technique DRAIN relaxed 
Effects of Techniques of Implanting Nitrogen into Buried Oxide on the Characteristics of Partially Depleted SOI PMOSFET
《Chinese Physics Letters》2005年第3期654-656,共3页郑中山 刘忠立 张国强 李宁 范楷 张恩霞 易万兵 陈猛 王曦 
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