ELECTROABSORPTION

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Strain effects on performance of electroabsorption optical modulators
《Frontiers of Optoelectronics》2013年第3期282-289,共8页Kambiz ABEDI 
This paper reports a detailed theoretical investigation of strain effects on the performance of electroabsorption optical modulators based on the asym- metric intra-step-barrier coupled double strained quantum wells ...
关键词：asymmetric intra-step-barrier coupled double strained quantum wells （AICD-SQWs） electroabsorption modulators strain insertion loss 
High speed optical modulation in Ge quantum wells using quantum confined stark effect
《Frontiers of Optoelectronics》2012年第1期82-89,共8页Yiwen RONG Yijie HUO Edward T.FE Marco FIORENTINO Michael R.T.TAN Tomasz OCHALSKI Guillaume HUYET Lars THYLEN Marek CHACINSKI Theodore I.KAMINS James S.HARRIS 
We focus on the optimization of SiGe material deposition, the minimization of the parasitic capacitance of the probe pads for high speed, low voltage and high contrast ratio operation. The device fabrication is based ...
关键词：electroabsorption effect Ge optical intercon-nections optical modulators quantum-confined Stark effect（QCSE） Ge/SiGe quantum wells （QWs） 
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