SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
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Superjunction 4H-SiC trench-gate IGBT with an integrated clamping PN diode
《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》2024年第2期3-9,27,共8页Huang Yi Wang Xuecheng Gao Sheng Liu Bin Zhang Hongsheng Han Genquan 
the General Program of National Natural Science Foundation of Chongqing(CSTB2023NSCQ-MSX0475);the Doctoral Research Start-up Fund of Chongqing University of Posts and Telecommunications(A2023-7);the Technology Innovation and Application Demonstration Key Project of Chongqing Municipality(cstc2019jszx-zdztzxX0005,cstc2020jscx-gksbX0011)。
In this paper,a novel superjunction 4H-silicon carbide(4H-SiC)trench-gate insulated-gate bipolar transistor(IGBT)featuring an integrated clamping PN diode between the P-shield and emitter(TSD-IGBT)is designed and theo...
关键词：4H-silicon carbide(4H-SiC) trench-gate SUPERJUNCTION clamping diode 
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