SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
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Novel SiC SBD-wall-integrated trench MOSFET with a semi-superjunction and split trench gate
《Science China(Information Sciences)》2022年第6期277-278,共2页Xiaorong LUO Junyue HUANG Xu SONG Qinfeng JIANG Jie WEI Jian FANG Fei YANG 
supported by National Key Research and Development Program of China(Grant No.2016YFB0400502);Postdoctoral Innovative Talent Support Program(Grant No.BX20190059)。
Dear editor,SiC MOSFET has the advantages of low specific onresistance(Ron,sp),high breakdown voltage(BV),high operating temperature,and low thermal resistance.As a switching device,SiC MOSFET needs an anti-paralleled...
关键词：TRENCH DIODE BREAKDOWN 
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