SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李肇基方健乔明黄淮吴郁更多>>
相关机构：电子科技大学北京工业大学更多>>
相关期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》《Chinese Physics B》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=LATERALx
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
An optically controlled SiC lateral power transistor based on SiC/SiCGe superjunction structure被引量：1
《Journal of Semiconductors》2010年第4期17-19,共3页蒲红斌 曹琳 任杰 陈治明 南雅公 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60876050);the Special Scientific Research Project of Shaan Xi Provincial Department of Education,China(No.08JK367).
An optically controlled SiC/SiCGe lateral power transistor based on superjunction structure has been proposed, in which n-SiCGe/p-SiC superjunction structure is employed to improve device figure of merit. Performance ...
关键词：SiC/SiCGe SUPERJUNCTION optically controlled transistor 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部