SUPERJUNCTION

作品数：18被引量：21H指数：3
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相关作者：李肇基方健乔明黄淮吴郁更多>>
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Above 700 V superjunction MOSFETs fabricated by deep trench etching and epitaxial growth被引量：1
《Journal of Semiconductors》2010年第8期48-52,共5页李泽宏 任敏 张波 马俊 胡涛 张帅 王非 陈俭 
Silicon superjunction power MOSFETs were fabricated with deep trench etching and epitaxial growth,based on the process platform of the Shanghai Hua Hong NEC Electronics Company Limited.The breakdown voltages of the fa...
关键词：SUPERJUNCTION deep trench etching epitaxial growth power MOSFET 
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