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BIAXIAL: 作品数：92被引量：131H指数：6; 导出分析报告; 相关作者：朱俊杰林碧霞钱忺孙贤开傅竹西更多>>; 相关机构：中国科学技术大学杭州电子科技大学天津大学河北工业大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金中国科学院知识创新工程更多>>

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Mobility enhancement of strained GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with biaxial compressive strain被引量：2: 《Chinese Physics B》2016年第3期448-452,共5页陈燕文谭桢赵连锋王敬刘易周司晨袁方段文晖许军; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00602);the National Science and Technology Major Project of the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2011ZX02708-002); Various biaxial compressive strained GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） are experimentally and theoretically investigated, The biaxial compressive strained GaSb MOSFETs show ...; 关键词：GASB metal-oxide-semiconductor field-effect transistor STRAIN first principles calculations

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