HETEROEPITAXY

作品数：39被引量：36H指数：3
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Gradual variation method for thick GaN heteroepitaxy by hydride vapour phase epitaxy被引量：2
《Chinese Physics B》2011年第9期439-444,共6页杜彦浩 吴洁君 罗伟科 John Goldsmith 韩彤 陶岳彬 杨志坚 于彤军 张国义 
Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No.2007CB307004);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.60776041 61076012,60876063,and 60676032);the Science and Technology Fund of Beijing,China (Grant No.Z101103050410003)
Two strain-state samples of GaN, labelled the strain-relief sample and the quality-improved sample, were grown by hydride vapour phase epitaxy （HVPE）, and then characterized by high-resolution X-ray diffraction, pho...
关键词：GAN hydride vapour phase epitaxy HETEROEPITAXY 
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