A-PLANE

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Growth and Characterization of an a-Plane In_(x)Ga_(1−x)N on a r-Plane Sapphire
《Chinese Physics Letters》2012年第11期178-182,共5页ZHAO Gui-Juan LI Zhi-Wei WEI Hong-Yuan LIU Gui-Peng LIU Xiang-Lin YANG Shao-Yan ZHU Qin-Sheng WANG Zhan-Guo 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 60976008,61006004,61076001,10979507;the Special Funds for Major State Basic Research Project(973 program)of China(No A000091109-05);the National High-Technology R&D Program of China(No 2011AA03A101).
The non-polar a-plane(1120)In_(x)Ga_(1−x)N alloys with different indium compositions(0.074≤x≤0.555)were grown on r-plane(1012)sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition,and the indium compositions...
关键词：ALLOYS PLANE 
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