A-PLANE

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Characteristics of the crystalline and luminescence properties of a-plane GaN films grown on γ-LiAlO_2(302) substrates
《Chinese Optics Letters》2011年第9期78-81,共4页贾婷婷 周圣明 林辉 滕浩 侯肖瑞 刘建奇 黄俊 张敏 王建峰 徐科 
supported by the National Natural Science Foundation (Nos. 60990311 and 60676004);the Key Basic Research Project of Shanghai Science and Technology (No. 10JC1415700)
A-plane GaN films are deposited on (302) γ-LiAlO2 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The X-ray diffraction (XRD) results indicate that the in-plane orientation relationship between Ga...
关键词:GAN LiAlO2 SUBSTRATES LAO 
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