T-GATE

作品数：17被引量：16H指数：2
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T-Gate Fabrication of InP-Based HEMTs Using PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A Stacked Resist
《Chinese Journal of Electronics》2016年第3期448-452,共5页ZHONG Yinghui ZANG Huaping WANG Haili SUN Shuxiang LI Kaikai DING Peng JIN Zhi 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61404115,No.61434006);the Postdoctoral Science Foundation of Henan Province(No.2014006)
PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520 A fourlayer resist stack is firstly proposed for T-gates fabrication of InP-based High electron mobility transistors(HEMTs).Gate-head and gate-foot are exposed in single-step Electron beam lit...
关键词：T-gate High electron mobility transistors（HEMTs） InP ZEP520A Electron beam lithography（EBL） 
Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-Gates Fabrication Techniques for In P-Based HEMT
《Chinese Journal of Electronics》2016年第2期199-202,共4页ZHONG Yinghui ZANG Huaping SUN Shuxiang WANG Haili LI Kaikai LI Xinjian DING Peng JIN Zhi 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61404115,No.61434006);the Postdoctoral Science Foundation of Henan Province(No.2014006)
T-Gate fabrication processes for In P-based High electron mobility transistors(HEMTs) are described using PMMA/Al/UVIII. The single-step and two-step Electron beam lithography(EBL) methods are proposed contrastively w...
关键词：T-Gate HEMTs EBL technique Two-step EBL technique Polymethylmethacrylate（PMMA） 
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