云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HOT-CARRIER

HOT-CARRIER: 作品数：18被引量：14H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘斯扬钱钦松孙伟锋王金延张兴更多>>; 相关机构：北京大学东南大学西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《InfoMat》《Chinese Physics B》《npj Computational Materials》《Journal of Electronics(China)》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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Model of hot-carrier induced degradation in ultra-deep sub-micrometer nMOSFET: 《Chinese Physics B》2014年第5期525-529,共5页雷晓艺刘红侠张月马晓华郝跃; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61106106); The degradation produced by hot carrier （HC） in ultra-deep sub-micron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor （nMOSFET） has been analyzed in this paper. The generation of negatively charged int...; 关键词：n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor hot carder DEGRADATION lifetimemodel