HOT-CARRIER

作品数：18被引量：14H指数：3
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Analysis of hot-carrier degradation in N-LDMOS transistor with step gate oxide被引量：1
《Journal of Southeast University(English Edition)》2010年第1期17-20,共4页刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 
The Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2008287);the Preresearch Project of the National Natural Science Foundation of Southeast University(No.XJ2008312)
In order to minimize the hot-carrier effect（HCE）and maintain on-state performance in the high voltage N-type lateral double diffused MOS（N-LDMOS）, an optimized device structure with step gate oxide is proposed. Co...
关键词：HOT-CARRIER degradation step gate oxide N-type lateral double diffused MOS（N-LDMOS） 
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