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作品数：24被引量：35H指数：3
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A 4H-SiC merged P–I–N Schottky with floating back-to-back diode被引量：2
《Chinese Physics B》2022年第2期660-664,共5页Wei-Zhong Chen Hai-Feng Qin Feng Xu Li-Xiang Wang Yi Huang Zheng-Sheng Han 
A novel 4 H-Si C merged P–I–N Schottky(MPS)with floating back-to-back diode(FBD),named FBD-MPS,is proposed and investigated by the Sentaurus technology computer-aided design(TCAD)and analytical model.The FBD feature...
关键词：4H-SIC merged P-I-N Schottky(MPS) snapback effect turnover voltage floating back-to-back diode(FBD) 
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