AMPLIFIERS

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Effect of collector bias current on the linearity of common-emitter BJT amplifiers
《Journal of Semiconductors》2010年第12期75-79,共5页李琨 滕建辅 轩秀巍 
Project supported by the Tianjin Natural Science Foundation,China(No.09JCYBJC00700)
Using a Volterra series, an explicit formula is derived for the connection between input 3rd-order intercept point and collector bias current （IcQ） in a common-emitter bipolar junction transistor amplifier. The anal...
关键词：IIP3 collector bias current BJT dynamic bias current 
An RF power amplifier with inter-metal-shuffled capacitor for inter-stage matching in a digital CMOS process
《Journal of Semiconductors》2009年第6期83-87,共5页冯晓星 张兴 葛彬杰 王新安 
One challenge of the implementation of fully-integrated RF power amplifiers into a deep submicro digital CMOS process is that no capacitor is available,especially no high density capacitor.To address this problem,a tw...
关键词：power amplifiers radio frequency amplifiers UHF amplifiers RFID digital CMOS process 
High Power SiGe X-Band (8～10GHz) Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers
《Journal of Semiconductors》2006年第2期270-275,共6页Ma Zhenqiang Wang Guogong Jiang Ningyue Ponchak G E Alterovitz S A 
ProjectsupportedbytheNSF(No.ECS0323717)
关键词：晶体管 放大器 基极 发射极 掺杂 
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