异质栅

作品数：16被引量：15H指数：2
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石墨烯纳米条带场效应管及构建电路研究
《通讯世界》2017年第9期151-151,共1页江洲 
本文提出一种源漏轻掺杂异质栅结构石墨烯纳米条带场效应晶体管Graphene Nano Ribbon Field-effect Transistor(HMG-LDDS-GNRFET),采用量子力学模型,研究其电学特性。仿真结果表明,与普通石墨烯纳米场效应晶体管(C-GNRFET)相比,HMG-LDDS...
关键词：源漏轻掺杂 异质栅 石墨烯 开关电流比 
异质栅氧化层石墨烯隧穿场效应管构建反相器
《通讯世界》2017年第9期264-265,共2页孙倩 
本文研究了不同结构的石墨烯纳米条带(GNR)隧道场效应晶体管(TFET)应用于反相器的性能。主要是在HSPICE中构建逻辑电路,并且基于Verilog-A模型的查找表进行的,主要比较了高K氧化层石墨烯隧穿场效应管(HKTINV)和异质氧化层石墨烯隧穿场...
关键词：石墨烯隧穿场效应管 异质氧化层 反相器 
欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性(英文)被引量：1
《计算物理》2015年第2期229-239,共11页王伟 张露 李娜 杨晓 张婷 岳工舒 
Supported by Natural Science Foundation of Higher Education in Jiangsu Province(10KJD510006)
采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率...
关键词：碳纳米管场效应管 非平衡格林函数 欠叠栅 短沟道效应 异质栅 
采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期321-329,共9页王伟 张露 王雪莹 朱畅如 张婷 李娜 杨晓 岳工舒 
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流...
关键词：非平衡格林函数 异质栅场效应晶体管 有限元方法 轻掺杂源漏 
异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究被引量：1
《微电子学》2013年第3期419-422,434,共5页王伟 任雨舟 陈将伟 夏春萍 李浩 郑丽芬 李金 杨恒新 李锐 
国家自然科学基金资助项目(60806027);江苏省高校自然科学研究面上项目资助(10KJD510005;10KJD510006)
采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性。该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了器件结构尺寸效应,比较分析单栅、异质栅CNTFET...
关键词：碳纳米管场效应管 非平衡格林函数 异质栅 量子力学模型 
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