有源驱动

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SiC MOSFET有源驱动电路关断轨迹优化方法
《北京交通大学学报》2023年第5期126-135,共10页陈月清 郭希铮 部旭聪 郝瑞祥 游小杰 
中央高校基本科研业务费专项资金(2022JBXT006);国家重点研发计划(2022YFB2404105)。
SiC MOSFET的快速开关过程带来开关振荡、电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)问题,多电平有源驱动电路通过调节开关过程中的驱动电压可以优化其关断轨迹.针对有源驱动电路中间电平选取及作用时间的优化选择问题,提出一种SiC MO...
关键词:SiC MOSFET 开关特性 有源驱动 轨迹预测模型 
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