云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 原子层外延

原子层外延: 作品数：21被引量：16H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：罗岚郭锐张峰赵万顺刘勇更多>>; 相关机构：中国科学院信越半导体株式会社华中科技大学华南师范大学更多>>; 相关期刊：《液晶与显示》《材料导报》《半导体光电》《光电子技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金广东省重大科技专项更多>>

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原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展: 《材料导报》2012年第17期16-20,共5页何晓崐左然徐楠于海群; 国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z); 介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2...; 关键词：原子层外延 GAAS 表面化学反应

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