原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构
《激光与光电子学进展》1995年第12期13-15,共3页赵伯林 林礼煌 
用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生...
关键词：外延生长 半导体材料 原子层 量子线 结构 
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