栅控二极管

作品数：11被引量：11H指数：2
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部分耗尽SOI ESD保护电路的研究被引量：2
《电子器件》2012年第2期208-211,共4页汤仙明 韩郑生 
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI顶层硅膜厚度、栅控二极管的沟道长度和沟道宽度,限流电阻以及电火花隙等因素对保护电路抗ESD性能的影响...
关键词：绝缘衬底上的硅 静电放电 栅控二极管 人体放电模型 
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