等离子体淀积

作品数：10被引量：6H指数：2
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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响
《材料导报》2014年第24期9-13,共5页景亚霓 钟传杰 
国家自然科学基金(60776056)
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原...
关键词：等离子增强化学气相淀积 氮化硅 氢气添加 光学带隙 高频电容-电压特性 
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