等离子体淀积

作品数：10被引量：6H指数：2
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等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究
《应用科学学报》1990年第3期207-212,共6页李丹之 赵冷柱 劳凤英 
根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.
关键词：等离子体 薄膜 射频缺陷 PECVD 
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