低能

作品数:1082被引量:1712H指数:17
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靶表面粗糙度对低能电子致厚Ni靶特征X射线产额的影响研究
《核技术》2021年第11期20-24,共5页田丽霞 尹毅 戴朝成 
国家自然科学基金(No.12075056、No.11505028)资助。
采用蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)法对低能电子入射厚Ni靶时靶表面粗糙度对特征X射线产额的影响进行了模拟分析,结果表明:随着表面粗糙度的增大,其特征X射线产额逐步减小。采用扫描电镜装置测量得到了9~29 keV的电子束碰撞光滑厚Ni靶所致的...
关键词:表面粗糙度 蒙特卡罗 特征X射线产额 
基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法
《核技术》2018年第7期13-20,共8页李磊 石建敏 杨娜 庞元龙 刘许强 曾光 杨桂霞 
利用重金属工艺可提高器件可靠性,低能γ将使器件高Z/低Z界面附近产生剂量增强效应,影响器件抗辐射性能评估。介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对γ能量敏感的特性,通过比...
关键词:剂量增强效应 强钴源辐射场 低能散射γ 评估方法 平板电离室 
低能氦离子辐照诱导的钨材料结构演化被引量:6
《核技术》2017年第10期20-25,共6页李萌 范红玉 崔荷敬 范宏裕 韦理山 
国家自然科学基金(No.11405023);辽宁省自然科学基金指导计划项目(No.201602189);国家级大学生创新创业训练计划项目(No.G201612026048);大连民族大学"太阳鸟"学生科研项目(No.tyn2017xxx)资助~~
在温度为923 K、氦离子流强为7×10^(21) m^(-2)·s^(-1)的条件下,考察了低能氦离子辐照对钨材料表面结构的影响。采用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscope,CAFM)...
关键词:低能氦离子  表面形貌 氦泡 
基于国产厚型气体电子倍增器的低能电子二维位置探测器被引量:2
《核技术》2016年第9期52-57,共6页颜嘉庆 谢宇广 胡涛 吕军光 周莉 
国家自然科学基金(No.11205173);核探测与核电子学国家重点实验室(No.H9294206T)资助~~
为探测0.1~50MeV低能电子脉冲束流的位置分布,研制基于国产厚型气体电子倍增器(Thick Gaseous Electron Multiplier,THGEM)的二维位置探测器,位置分辨要求好于200gm,灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400pm、厚...
关键词:厚型气体电子倍增器 低能电子 二维位置 GEANT4 
低能氦离子辐照对钨和钼材料的表面损伤作用被引量:3
《核技术》2015年第11期9-14,共6页李月 范红玉 杨铭 张义武 牛金海 
国家国家自然科学基金(No.11405023);辽宁省教育厅一般科研项目(No.L2014539);国家级大学生创新创业训练项目(No.G201512026041);大连民族大学"太阳鸟"学生科研项目(No.tyn2015315)资助
钨和钼材料具有高熔点、高热导率、低溅射率等优点成为国际热核实验反应堆计划中面向等离子体材料的候选材料。因此研究钨和钼材料的辐照损伤行为对于认识面向等离子体材料的辐照损伤机制具有重要意义。本文采用120 e V的He+在873 K对...
关键词:辐照损伤   纳米压痕 导电原子力显微镜 
低能大流强氦离子辐照对钼的表面损伤作用被引量:2
《核技术》2014年第12期23-28,共6页王研 范红玉 吕梦尧 周耿仟 关延民 牛金海 
国家自然科学基金项目(No.11405023);辽宁省教育厅科研项目(No.L2014539);国家级大学生创新创业训练计划项目(No.G201412026039);大连民族学院"太阳鸟"学生科研项目(No.tyn2014353)资助
钼(Mo)材料被作为托卡马克装置中面向等离子体材料的候选材料被广泛研究,因此研究钼材料的辐照损伤行为对于认识聚变堆关键材料的辐照损伤机制具有重要意义。采用低能(100 e V)、大流强(约1021 ions·m-2·s-1)He+在600 oC对钼样品进行...
关键词:He^+辐照  表面损伤 导电原子力显微镜 
利用D-D核反应研究低能区氘与重原子碰撞的屏蔽库仑势
《核技术》2014年第10期94-98,共5页刘东东 王正海 周钰珊 方开洪 王铁山 
国家自然科学基金(No.11305080;No.11275085)资助
金属材料中D-D核反应出射质子/氚产额的比值(P/T值)与出射粒子探测方向和材料中氘离子运动方向之间的夹角(探测角)相关。实际过程中,氘离子在载体材料中的多次散射将改变探测角,从而影响P/T值。因此,P/T值将反映氘离子-材料原子间的相...
关键词:低能区D-D核反应 P/T值 屏蔽势 
基于弹性背散射率的低能电子IMFP计算
《核技术》2011年第12期897-900,共4页卓俊 牛胜利 朱金辉 谢红刚 黄流兴 
采用蒙特卡罗程序对Fe、Cu、Ag和Au表面的电子弹性背散射过程进行了研究。模拟程序中电子的弹性散射截面使用在Dirac-Hatree-Fock交换势下求解得到的Mott散射截面。计算了固体表面弹性背散射率随非弹性散射平均自由程(IMFP)的变化规律,...
关键词:低能电子 弹性背散射率 非弹性散射平均自由程 蒙特卡罗方法 
固体衬底上超薄膜表面的低能电子背散射系数计算研究
《核技术》2010年第11期828-831,共4页卓俊 牛胜利 朱金辉 黄流兴 
应用单次碰撞直接Monte Carlo方法模拟了keV级低能电子在超薄膜/固体衬底结构材料中的输运过程,计算研究了不同能量低能电子在几十nm厚超薄膜表面的背散射系数。给出了几种常用超薄膜/固体衬底结构的电子背散射系数r随薄膜厚度D的变化曲...
关键词:低能电子 背散射 直接Monte CARLO方法 超薄膜 
低能电磁扫描IMRT光子注量分布M-C模拟
《核技术》2010年第10期760-764,共5页王丽艳 李敏 吴章文 勾成俊 侯氢 
国家自然科学基金资助项目(10475059)
电磁扫描调强是用电子笔束轰击离散分布的靶点,产生脉冲化X线光子束,是实现调强放疗的技术方案之一。本文主要是考察当电子加速能量为低中能时,从可产生的光子注量分布的角度,来探讨低能电磁扫描调强技术的可行性。通过Monte Carlo模拟...
关键词:电磁扫描 调强放射治疗 最优化 注量分布 
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