杨娜

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
发文主题：测压辐射场非均相反应放射源信息采集更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信医药卫生核科学技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《核技术》更多>>
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基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法
《核技术》2018年第7期13-20,共8页李磊 石建敏 杨娜 庞元龙 刘许强 曾光 杨桂霞 
利用重金属工艺可提高器件可靠性,低能γ将使器件高Z/低Z界面附近产生剂量增强效应,影响器件抗辐射性能评估。介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对γ能量敏感的特性,通过比...
关键词：剂量增强效应 强钴源辐射场 低能散射γ 评估方法 平板电离室 
半导体材料辐射效应的表征与分析被引量：2
《半导体技术》2017年第1期61-68,共8页曾光 刘许强 杨娜 杨桂霞 
中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金资助项目(2015CX03)
在辐射环境中,电子系统常用的半导体器件及电路会出现不同程度的性能退化,甚至发生失效。其根本原因来源于辐射致组成半导体器件的材料内部缺陷的产生和积累。表征和分析辐射致材料内部缺陷的种类、浓度、分布等信息,是半导体材料辐射...
关键词：半导体材料 辐射效应 表征 缺陷 宏观电效应 
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