低阻值

作品数：60被引量：21H指数：3
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电子材料
《新材料产业》2014年第1期76-79,共4页
日本低阻值n-AIGaN，电光转换效率提升15％ 日本名城大学和名古屋火学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝镓（n—AIGaN）。通过将n—A1GaN作为紫外LED的一部分，研究人员成功将电光转换效率（wall-plugefficiency）提升了15％左右...
关键词：电子材料 电光转换效率 研究人员 MOVPE 低温缓冲层 低阻值 外延生长 氮化铝 
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